全文获取类型
收费全文 | 683篇 |
免费 | 215篇 |
国内免费 | 220篇 |
专业分类
化学 | 412篇 |
晶体学 | 40篇 |
力学 | 72篇 |
综合类 | 11篇 |
数学 | 97篇 |
物理学 | 486篇 |
出版年
2023年 | 3篇 |
2022年 | 31篇 |
2021年 | 22篇 |
2020年 | 21篇 |
2019年 | 27篇 |
2018年 | 29篇 |
2017年 | 37篇 |
2016年 | 20篇 |
2015年 | 38篇 |
2014年 | 44篇 |
2013年 | 48篇 |
2012年 | 55篇 |
2011年 | 66篇 |
2010年 | 72篇 |
2009年 | 60篇 |
2008年 | 60篇 |
2007年 | 59篇 |
2006年 | 64篇 |
2005年 | 63篇 |
2004年 | 37篇 |
2003年 | 27篇 |
2002年 | 25篇 |
2001年 | 46篇 |
2000年 | 37篇 |
1999年 | 10篇 |
1998年 | 12篇 |
1997年 | 7篇 |
1996年 | 6篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 10篇 |
1993年 | 8篇 |
1992年 | 8篇 |
1991年 | 10篇 |
1990年 | 6篇 |
1989年 | 8篇 |
1988年 | 4篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 6篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 2篇 |
1979年 | 1篇 |
1978年 | 2篇 |
1976年 | 2篇 |
1962年 | 3篇 |
1961年 | 1篇 |
1954年 | 1篇 |
1936年 | 1篇 |
排序方式: 共有1118条查询结果,搜索用时 20 毫秒
61.
Structure Characterization of HSQ Films for Low Dielectrics Using D5 as Sacrificial Porous Materials 下载免费PDF全文
Low-density materials, commercially available hydrogensilsesquioxane (HSQ) offer a low dielectric constant. HSQ films can be obtained by spin on deposition (SOD). In this work, low-dielectric-constant HSQ films are prepared by using D5 (decamethylcyclopentasiloxane) as sacrificiaJ porous materials. The dielectric constant of silica films significantly changes from 3.0 to 2.4. We report the structural aspects of the films in relation to their composition after annealed at 300℃, 400℃, and 500℃ for 1.5h in nitrogen ambient and annealed at 400℃ for 1.5h in vacuum. Si-OH appears after annealed at 400℃ for 1.5h in vacuum. The results indicate that the proper condition is in nitrogen ambient. Intensity of the Sill peak increases with the increasing temperature. Fourier transform infrared spectroscopy is used to identify the network structure and cage structure of Si-O-Si bonds and other possible bonds. Dielectric constant k is significantly lowered by annealing at 350℃ for 1.5h in nitrogen ambient. The I-V and C-V measurements are used to determine the dielectric constant, the electric resistivity and the breakdown electric field. 相似文献
62.
利用基于亚波长衍射光栅理论的介质-金属-介质的对称夹层结构,对掺杂的双包层光纤进行多点泵浦,根据严格的电磁场衍射理论和光栅方程,分析了多点泵浦时,这种耦合结构的泵浦光泄露的问题,证明了多点泵浦时泵浦光的泄露率仅为15.52%,而对信号光则不存在泄露。这种对称夹层结构可以用于多个大功率激光二极管阵列的多点侧面泵浦双包层掺杂光纤中,以制作各种大功率(数kW级)稀土光纤激光器,其最大耦合效率可以达到80%以上。 相似文献
63.
介绍了利用飞行时间技术测量Z箍缩装置单氘丝中子发射。实验发现,Z箍缩中子发射过程中,伴随产生很强的硬X射线,利用铝丝阵产生硬X射线的实验,建立较好的硬X射线屏蔽,大大减弱了它的辐射强度。所采用的双闪烁探测器中子探测系统,进行了3个发次的单氘丝负载实验,确认产生了聚变氘氘中子。4172发次实验测量结果表明,中子产额1.5×109,中子能量为(2.45±0.26) MeV。实验结合分幅照相数据分析认为,峰电流和负载未能很好匹配,等离子体存在不稳定现象。 相似文献
64.
基于Rompe-Weizel火花动态电阻公式,数值计算了电容器经火花开关放电时负载电阻上的输出电压。在相同电参数条件下,计算所得的峰值电压为54 kV,前沿为2.0 ns,与实验所得的55 kV和2.3 ns基本吻合。基于Braginskii火花动态电阻公式,在假定火花开关电导率恒定与电导率渐变的条件下,利用传输线放电电路数值计算了气体火花开关的非线性动态电阻。与已有实验测量结果(0.7~0.9 Ω)对比,发现电导率渐变模型(0.5~0.8 Ω)更适合用于反映火花开关的动态电阻变化过程。进而在此模型中引入了负载电阻项,通过计算负载端的透射电流,数值计算得单脉冲形成线对负载放电时的电压脉冲前沿为7~9 ns,而利用单线经高压氢气自击穿火花开关放电得到初步实验结果为8 ns。 相似文献
65.
66.
67.
简要介绍了南开大学核物理组在奇异性核物理方面的理论研究工作. 已经完成的工作有核介质内超子平均自由程的理论计算, 奇异性核物理方面已完成的其他4个理论研究课题是, 不同重子杂质对原子核的影响、重味重子超核、核物质内的eta-介子以及K介子原子核的性质. 相似文献
68.
ZHAN Baoqing CUI Qiliang LIU Wei ZHANG Jian ZHAN Fuxiang NING Jiajia ZOU Guangtian 《中国化学》2009,27(11):2175-2177
A facile hydrothermal process involving Ga(NO3)3·H2O·NaN3 solutions led to the formation of α‐GaOOH nano‐platelets. X‐ray diffraction (XRD) pattern revealed that the synthesized samples belonged to an orthorhombic crystal structure with lattice constants a=0.4510 nm, b=0.9750 nm and c=0.2965 nm. Transmission electron microscopy (TEM) studies showed that α‐GaOOH displayed the morphologies of an eccentric platelet‐like structure with 60–120 and 200–300 nm in the short and long axes, respectively. The average thickness of products was about 70 nm through scanning electron microscopy (SEM) images. The ultraviolet absorption of the samples was at 214 nm. The prepared α‐GaOOH nano‐platelets exhibited a broad emission band from 220 to 400 nm with a maximum at 343 nm under short UV excitation of 200 nm. Fourier transform infrared (FTIR) spectrum confirmed the existence of Ga2O and Ga–OH bending modes. A possible mechanism for the formation of α‐GaOOH nano‐platelets was discussed briefly. 相似文献
69.
70.